पुराना प्रविधिबाटै ३–एनएमभन्दा साना चिप बनाउने बाटोमा चीन

अमेरिकाले लगाएको प्रतिबन्धका कारण अत्याधुनिक ईयूभी उपकरण नपाएपछि चीनले पुराना प्रविधि प्रयोग गरेर ३–एनएमभन्दा साना चिप निर्माण गर्ने कार्य थालेको छ ।

चिनियाँ अनुसन्धानकर्ताहरूले पुराना ईयूभी लिथोग्राफी प्रविधिबाट नै यो सफलता हासिल गरेका हुन् ।

वर्तमान अमेरिकी निर्यात नियन्त्रण नियमका कारण डच कम्पनी एएसएमएलले ७–एनएमभन्दा साना चिप बनाउन चाहिने अत्याधुनिक ईयूभी मेसिन चीनलाई बिक्री गर्न पाउँदैन ।

ताइवानी सञ्चारमाध्यम डिजिटाइम्सका अनुसार, राज्यको लगानी रहेको चाइनिज एकेडेमी अफ साइन्सेस (सीएएस) ले डियुभी प्रविधि प्रयोग गरेर गेट–अल–अराउन्ड (जीएए) उपकरण विकासको प्रारम्भिक बाटो तय गरेको छ ।

इन्स्टिच्युट अफ माइक्रोइलेक्ट्रोनिक्स (आईएमईसीएएस) का विज्ञ ये टियानचुनको भनाइलाई उद्धृत गर्दै उक्त समाचार प्रकाशित भएको हो ।

येले संस्थानले डियुभी उपकरण प्रयोग गरेर स्ट्याक्ड न्यानोशिट–च्यानल जिएए सिमोस ट्रान्सिस्टरको प्रारम्भिक एकीकरण पूरा गरेको बताएका छन् ।

उनले नतिजालाई व्याख्या गर्दै भनेका छन्, ‘यो चीनको सब–३–एनएम उन्नत उत्पादनका लागि एक नयाँ प्रारम्भिक चरणको एमओएस ट्रान्सिस्टर प्रक्रियाको बाटो हो ।’

अत्याधुनिक उपकरणको अभाव भए पनि चीनले विश्वव्यापी सेमिकन्डक्टर उद्योगका नेतृत्वकर्ताहरूको प्रविधिलाई पछ्याइरहेको छ । सेमिकन्डक्टर उत्पादनमा फिनफेट प्रविधिपछि जिएए ट्रान्सिस्टर संरचनालाई अर्को महत्त्वपूर्ण प्रगतिका रूपमा लिइन्छ ।

स्यामसङ इलेक्ट्रोनिक्सले जिएए प्रविधि प्रयोग गरेर ३–एनएम चिप्सको व्यावसायिक उत्पादन सुरु गरिसकेको छ । ताइवानी कम्पनी टीएसएमसीले सन् २०२५ को अन्त्यतिर आफ्नो २–एनएम नोडका लागि जिएए प्रविधि अपनाएको छ ।

सीएएसले पाएको यो सफलता अहिल्यै ठूलो परिमाणमा व्यावसायिक उत्पादन गर्न योग्य भइसकेको छैन ।

ये आइएमइसीएएसका पूर्व प्रमुख हुन् । उनले चीनको चिप निर्माण उपकरण र क्षमता अभिवृद्धि गर्ने उद्देश्यले सञ्चालित प्रमुख सरकारी आयोजना ‘०२’ को मुख्य प्रविधिविज्ञका रूपमा काम गरेका छन् ।

यस विषयमा सीएएसले कुनै प्रतिक्रिया दिएको छैन ।

यसै वर्ष चीनको चिप आत्मनिर्भरता अभियानमा सबैभन्दा ठूलो फड्को हुवावे टेक्नोलोजीले मारेको छ । हुवावेले गत मे महिनामा समय मापनमा आधारित ’टाउ स्केलिङ ल’ सार्वजनिक गरेको थियो ।